DMTH6004SPSQ-13
Diodes Incorporated
Deutsch
Artikelnummer: | DMTH6004SPSQ-13 |
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Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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2500+ | $0.9923 |
5000+ | $0.9555 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerDI5060-8 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 50A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.1W (Ta), 167W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4556 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95.4 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 25A (Ta), 100A (Tc) |
Grundproduktnummer | DMTH6004 |
DMTH6004SPSQ-13 Einzelheiten PDF [English] | DMTH6004SPSQ-13 PDF - EN.pdf |
DIODES DFN
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DMTH6004SPSQ-13Diodes Incorporated |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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